RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link