RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2688
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link