RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link