RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation T 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link