RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link