RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3593
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link