RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3279
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link