RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link