RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link