RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link