RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3703
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link