RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3587
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link