RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2800
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link