RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link