RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link