RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
17
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3623
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link