RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link