RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
89
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
89
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1518
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link