RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link