RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link