RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link