RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
44
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link