RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
74
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link