RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2661
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link