RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link