RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link