RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link