RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link