RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link