RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2081
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link