RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2459
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link