RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link