RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link