RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link