RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2702
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link