RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
28
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3281
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link