RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link