RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
24.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link