RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link