RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link