RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 30
    Около 7% меньшая задержка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.4 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.8 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 18.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 14.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 3657

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
модули RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
модули RAM