RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link