RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link