RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link