RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3158
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link