RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
22.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4251
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link