RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link