RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link