RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4219
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link