RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4219
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link