RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link