RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3258
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link