RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3164
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link